氮化硅合成方法：氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，浙江氮化硅，能通过调节沉积参数来减少张力。氮化硅铁是以Si3N4为主要成分，伴随游离铁，超细氮化硅，未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物，炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。
氮化硅历史：虽然氮化硅的特性已经早已广为人知，但在地球自然界中存在的氮化硅（大小约为2×5μm）还是在二十世纪90年代才在陨石中被发现。不过有证据显示可能在更早之前就在前苏联境内的阿塞拜疆发现过这种存在于陨石中的氮化硅矿石。氮化硅铁是以Si3N4为主要成分，伴随游离铁，生产氮化硅，未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物，炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。
氮化硅铁是以Si3N4为主要成分，伴随游离铁，未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物，炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
1.利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
2.等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
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