氮化硅合成方法：对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，江苏氮化硅，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。
氮化硅铁是以Si3N4为主要成分，伴随游离铁，高纯氮化硅，未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物，炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
1.利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
2.等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅生产方法：氮化硅陶瓷制品的生产方法有两种，氮化硅耐火材料，即反应烧结法和热压烧结法。反应烧结法是将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生产方法成型。然后在氮化炉内，在1150~1200℃预氮化，获得一定强度后，可在机床上进行机械加工，接着在1350~1450℃进一步氮化18~36h，直到全部变为氮化硅为止。氮化硅铁是以Si3N4为主要成分，伴随游离铁，未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物，炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物。
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