如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
1.利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
2.等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅合成方法：对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，氮化硅铁价格，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，求购氮化硅铁，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。
氮化硅技术发展：我国自80年代中期开始研究氮化硅技术。主要是研究减重效率高的结构氮化硅材料-多孔氮化硅材料，关于氮化硅复合材料的研究刚刚起步，多孔氮化硅复合材料材料组成体系的理论设计与试验设计相关研究很少，尚处于摸索阶段，受国内外相关研究资料较少的影响，氮化硅铁，这方面我国的研究一直处于相对落后地位，许多研究单位以及学者多把研究重点放在军工领域，而其它领域的应用研究基本尚处空白。
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