氮化硅合成方法：对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，氮化硅公司，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。
氮化硅材料性能：在治金工业，工业制氮化硅，由于氮化硅陶瓷耐高温，摩擦系数小，具有自润滑性。对多数金属、合金溶液稳定，因此，可制作金属材料加工的工模具，如拨菅芯棒、挤压、拨丝模具，山东氮化硅，轧辊、传送辊、发热体夹具、热偶套营、金属热处理支承件、坩埚，铝液导营、铝包内衬等。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
1.利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
2.等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
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